Патенты и публикации

На ключевые технические решения, используемые при производстве продукции, поданы заявки или получены Патенты РФ

Номер	Название	Авторы	Патентовладелец
Патент РФ № 2286618	Полупроводниковый диод для инфракрасного диапазона спектра	Матвеев Б.А.	зам.ген.директора ООО «ИоффеЛЕД» Матвеев Б.А
Патент РФ № 2521156	ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФОТОДИОД ДЛЯ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ	Матвеев Б.А.	ООО «ИоффеЛЕД»
Патент РФ № 2570603	ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД ДЛЯ СРЕДНЕВОЛНОВОГО ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА СПЕКТРА	Ильинская Н.Д., Матвеев Б.А., Ременный М.А.	ООО «ИоффеЛЕД»
Патент РФ №2599905	Способ изготовления диодов средневолнового ИК диапазона спектра	Ильинская Н.Д., Матвеев Б.А, Ременный М.А., Усикова А.А.	ООО «ИоффеЛЕД»
Положительное решение о выдаче патента по заявке № 2013109254	ФОТОМЕТР	Александров С.Е., Гаврилов Г.А., Капралов А.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Сотникова Г.Ю	ООО «ИоффеЛЕД»
Заявка на изобретение №2014107335	МНОГОКАНАЛЬНЫЙ ФОТОПРИЕМНЫЙ МОДУЛЬ	Матвеев Б.А., Ременный М.А.	ООО «ИоффеЛЕД»
Заявка на изобретение №2015102672	Способ изготовления диодов для средневолнового ИК диапазона спектра	Ильинская Н.Д., Иванова О.В., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Усикова А.А.	ООО «ИоффеЛЕД»
Заявка на изобретение №2016119278 от 18.05.2016	УСТРОЙСТВО ДЛЯ БЕСКОНТАКТНОГО ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЪЕКТА	Александров С.Е., Гаврилов Г.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Сотникова Г.Ю.	«ИоффеЛЕД» совместно с ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН
Заявка на изобретение №2016120127 от 25.05.2016	Пирометр	Александров С.Е., Гаврилов Г.А., Капралов А.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Сотникова Г.Ю.	ООО «ИоффеЛЕД»
Заявка на изобретение №2016120128 от 25.05.2016	Фотодиод для средневолнового инфракрасного излучения	Лавров А.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А.	ООО «ИоффеЛЕД»
Заявка на изобретение №2016145096 от 17.11.2016	Способ изготовления диодов средневолнового ИК диапазона спектра	Ильинская Н.Д., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Усикова А.А.	ООО «ИоффеЛЕД»

Наиболее значимые публикации за последние годы

P.N. Brunkov, N.D. Il’inskaya, S.A. Karandashev, A.A. Lavrov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus’, A.A. Usikova, “Cooled P-InAsSbP/n-InAs/N-InAsSbP double heterostructure photodiodes», Infrared Physics & Technology 64 (2014) 62–65 .pdf

Brunkov P.N. Il`inskaya N.D., Karandashev S.A., Lavrov A.A., Matveev B.A., Remennyi M.A., Stus` N.M., Usikova A.A., «InAsSbP/InAs(0.9)Sb(0.1)/InAs DH photodiodes (λ0.1 = 5.2 um, 300 K) operating in the 77-353 K temperature range», Infrared Phys. Technol., v.73 страницы: 232-237 (2015) .pdf

Н.Д. Ильинская, С.А., Карандашев, Н.Г. Карпухина, А.А. Лавров, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Усикова, «Фотодиодная линейка 1×64 на основе двойной гетeроструктуры p-InAsSbP/n-InAs0.92Sb0.08/n+-InAs», Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, вып. 5, 657 -662 .pdf

P.N. Brunkov, N.D. Il’inskaya, S.A. Karandashev, N.G. Karpukhina, A.A. Lavrov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus’, A.A. Usikova, “Low dark current P-InAsSbP/n-InAs/N-InAsSbP/n+-InAs double heterostructure back-side illuminated photodiodes”, Infrared Physics and Technology 76 (2016), pp. 542-545 .pdf

P.N. Brunkov, N.D. Il’inskaya, S.A. Karandashev, A.A. Lavrov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus’, A.A. Usikova, “P-InAsSbP/n-InAs single heterostructure back-side illuminated 8 x 8 photodiode array», Infrared Physics & Technology 78 (2016) 249–253 .pdf

N.D. Il’inskaya, S.A. Karandashev, A.A. Lavrov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus’, and A.A. Usikova; «InAs_0.7Sb_0.3bulk photodiodes operating at thermoelectric-cooler temperatures»; Phys. Status Solidi A 2018, 1700694 ; .pdf

N.D. Il’inskaya, S.A. Karandashev, A.A. Lavrov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus’, and A.A. Usikova; «P-InAsSbP/p-InAs_0.88Sb_0.12/n-InAs_0.88Sb_0.12/n⁺-InAs PDs with a smooth p-n junction»; Infrared Physics & Technology 88 (2018) 223–227 .pdf

Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, А.А. Лавров, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Стусь Н.М., А.А. Усикова; «Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6-2.8 мкм»; Журнал технической физики, 2018, том 88, вып. 2 .pdf

Полный список публикаций (начиная с 1998 года)

1998

M.Remennyi, N.Zotova, S.Karandashov, N.Il'inskaya, B.Matveev, N.M. Stus', G.N. Talalakin,"Mesa-stripe lasers based on InGaAsSb(Gd)/InAsSbP for the 3-3.6 mm spectroscopy", Proceedings of the 5th International Symposium on Gas Analysis by Tunable Diode Lasers, Freiburg, 25-26 February, 1998,(VDI Berichte 1366) pp.223-236

М.Айдаралиев, Зотова Н.В.,Карандашев С.А., Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Н.М.Стусь Г.Н.Талалакин,"Длинноволновые неохлаждаемые источники излучения l=5-6 мкм на основе градиентных слоев InAsSbP, полученных методом жидкофазной эпитаксии", Письма ЖТФ, 24 (1998), в.6, стр. 88-94

N.V. Zotova, S.A. Karandashov, B.A. Matveev, N.M.Stus' M.A.Remennyi and G.N. Talalakin,"LED based sensors for CnHm, CO2 and CO detection in the mid-IR region"International Conference on Ecology of Cities, 8-12 June 1998, Rhodes, Greece, 136-142

B.Matveev, N.Zotova, S.Karandashov, M.Remennyi, N.Il'inskaya, N.Stus', V.Shustov, G.Talalakin and J.Malinen "InAsSbP/InAs LEDs for the 3.3-5.5 mkm spectral range" IEE Proceedings ,Optoelectronics (Special issue on MID-INFRARED OPTOELECTRONICS:MATERIALS AND DEVICES) Vol 145 (5) , pp. 254-256 (1998)

B.Matveev, M.Aidaraliev, G.Gavrilov, N.Zotova, S.Karandashov, G.Sotnikova, N.Stus', G.Talalakin, N.Il'inskaya, S.Aleksandrov ”Room temperature InAs photodiode-InGaAs LED pairs for methane detection in the mid-IR”, Sensors & Actuators Vol. 51(1998), Nos. 1-3, pp. 233-237

B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, M.A.Remennyi, N.D.Il'inskaya N.M.Stus', G.N. Talalakin and J.Piotrovski "Narrow line InAsSbP/InAs LEDs and detectors for the 5-6 um spectral range" Int.Conf. Physics at the Turn of the 21st Century, September 28-October 2, 1998, St.Petersburg, Summaries, p.97

1999

Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. Механизмы излучательной рекомбинации в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb / InAsSbP, работающих в диапазоне 3.0- 3.6 мкм ФТП, т.33(1999), вып.2, стр.233-238

Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. Коэффициент усиления и внутренние потери в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP ФТП, т .33( 1999), вып. 6, стр. 759-763

Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин “Твердые растворы InGaAsSb на основе InAs, легированные гадолинием, для светодиодов в спектральной области 3 - 5 мкм”, ФТП, т.33 ( 1999), вып.8, стр. 1010-1014

М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. “Излучательная рекомбинация (l=3.0- 3.6 мкм) в лазерах на основе ДГС InGaAsSb/InAsSbP с гетеропереходами I и II типа”. Тезисы докладов IV Российской конференции по физике полупроводников “Полупроводники’99” Новосибирск, 25-29/10-99 г., стр. 310.

М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. “Внутризонное поглощение в лазерах на основе ДГС InGaAsSb/InAsSbP (l=3.0¸3.6 мкм)”. Тезисы докладов IV Российской конференции по физике полупроводников “Полупроводники’99” Новосибирск, 25-29/10-99 г., стр. 309.

Kulakova L.A., Matveev B.A., Melekh B.T., “Si-Te Acoustooptic Modulator for (1.7-10.6 mkm) IR-Region, 18-th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors Science and Technology, Book of abstracts, 22-27 August 1999, Snowbird, Utah, USA

2000

М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин, «Электролюминесценция светодиодов l=3.3-4.3 мкм на основе твердых растворов InGaAs и InAsSbP в интервале температур 20-180 0С», ФТП, т.34(2000), № 1, стр. 99-102

М.Айдаралиев, Н.В.Зотова, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Н.М.Стусь,Г.Н.Талалакин, T.Beyer, R.Brunner, Спектральные характеристики лазеров на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP (l=3.0-3.6 мкм), ФТП, т.34(2000), № 4, стр. 504-508

B.Matveev, N.Zotova, S.Karandashov, M.Remennyi, N.Stus', G.Talalakin.,”InAs(Sb)(P) and In(Ga)As(Sb) LEDs as a light source for high temperature (t= 80¸180 C ) optical sensing in the mid-IR (3 ¸ 5 mm) spectral range”, 5th European Conference on Optical Chemical Sensors and Biosensors (EUROPTRODE V), Lyon, France April 16-19, 2000, Book of Abstracts, p.193-194.

М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин, T. Beyer*. Лазеры 3.0-3.3 мкм на основе ДГС InGaAsSb(Gd)/InAsSbP для диодно-лазерной спектроскопии. ФТП, т.34, №7 (2000), стр. 124-128.

Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Т.В. Львова, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин. Фотодиоды на основе InAsSbP/InAs (l0.5=3.6 mkm) и InAsSbP/InAsSb (l0.5=5.7 mk m). Тезисы докладов XVI Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27/5/2000, Москва, стр.35

Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин, С.А. Александров, Г.А. Гаврилов, Г.Ю. Сотникова. Оптоэлектронные сенсоры экологического мониторинга атмосферы среднего ИК диапазона (l=3-5 mkm). Сборник тезисов International Workshop “Results of Fundamental Research for Investmen” IWRFRI’2000, Санкт-Петербург 29-31/5/2000, стр.66-67.

M. A'daraliev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, M.A. Remenniy, N.M. Stus', G.N. Talalakin, V.K. Malyutenko and O.Yu. Malyutenko. ~4 mkm Negative Luminescence from p-InAsSbP/n-InAs Diodes in the Temperature Range of 20-180°C. Abstracts of the Fifth International Conference “Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics”, 22-24 May 2000, Kyiv, Ukraine, p.58

Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин, С.А. Александров, Г.А. Гаврилов, Г.Ю. Сотникова. Оптоэлектронные сенсоры среднего ИК диапазона (l=3-5 мкм ) для экологического мониторинга атмосферы, Сборник тезисов Всероссийской конференции «Сенсоры и микросистемы», СЕНСОР-2000, 21-23 июня, Санкт-Петербург, стр.52

Матвеев Б.А., Хиврин М.В., «Диодные оптоэлектронные пары для датчиков метана», Взрывозащищенная связь и автоматизация на угольных предприятиях, Сборник научных трудов, Москва 2000 г., стр.55-59

M. A’daraliev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, M.A. Remenniy, N.M. Stus', G.N. Talalakin, V.K. Malyutenko and O. Yu. Malyutenko “4 mkm negative luminescence from p-InAsSbP/n-InAs diodes in the temperature range of 20–180°C”, SPIE vol.4355, pp.161-167, 2000.

2001

Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин, В.В.Шустов, «Инфракрасные светодиоды с оптическим возбуждением на основе InGaAs(Sb)», ФТП, 2001, т.35, N 3, стр.371-374

М.Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин, «Отрицательная люминесценция в диодах на основе p-InAsSbP/n-InAs, ФТП, 2001, том.35, вып.3, стр. 335-338

“Negative Luminescence from InAsSbP based Diodes in the 4¸4.3 mkm Range”, Boris.A.Matveev, Nonna V.Zotova, Sergey.A.Karandashov, Maxim.A.Remennyi, Nikolai M.Stus', Georgii N.Talalakin, Volodimir K. Malyutenko and Oleg Yu. Malyutenko, Book of abstracts of the SPIE conference on OPTOELECTRONICS’2001, San Jose, (OE 4285A-12 ) January 2001

«High Power and Single mode DH InGaAsSb(Gd)/InAsSbP Diode Lasers», Boris.A.Matveev, NonnaV.Zotova, Sergey.A.Karandashov, Maxim.A.Remennyi, Nikolai M.Stus', Georgii N.Talalakin OPTOELECTRONICS’2001, San Jose, January 2001

“III-V Optically Pumped mid-IR LEDs”, Boris.A.Matveev, NonnaV.Zotova, Sergey.A.Karandashov, Maxim.A.Remennyi, Nikolai M.Stus', Georgii N.Talalakin OPTOELECTRONICS’2001, San Jose, January 2001

B.A.Matveev, M.Aidaraliev, N.V.Zotova, S.A.Karandashov, M.A.Remennyi, N.M.Stus', G.N.Talalakin “Towards longwave (5-7 mkm ) LED operation at 80 C: optical pumping or extraction of carriers?”, Book of abstracts of the MIOMD’2001, Montpelier, April 1-3, 2001, p.46

V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko M. A'daraliev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, M.A. Remenniy, N.M. Stus', G.N. Talalakin “2D mapping of III-V LED output in the mid-IR (3-5 mkm), Book of abstracts of the MIOMD’2001, Montpelier, April 1-3, 2001, p.109

М.А. Ременный, М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин. «Отрицательная люминесценция в диодах на основе InAs(Sb) (l=4- 6 mkm )». Тезисы доклада на международной конференции Оптика, Оптоэлектроника и Технология, Ульяновск 2001, стр.92

B. A. Matveev "Towards efficient mid-IR LED operation: optical pumping, extraction or injection of carriers?", Book of abstracts of the 15-th UK National Quantum Electronics and Photonics Conference (QEP-15, Mid-Infrared Workshop), Glasgow, September 2001, p.21

М.Айдаралиев, Н.В.Зотова, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин , «Электролюминесценция светодиодов на основе твердых растворов InGaAs и InAsSbP (l=3.3-4.3 мкм) в интервале температур 20-180oC (продолжение*)», ФТП, 2001, том 35, выпуск 5, 619-625

М.Айдаралиев, Н.В.Зотова, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин “Мощные лазеры (l=3.3 мкм) на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd) / InAsSbP”, ФТП, 2001, том 35, выпуск 10 , стр.1261-1265

М.Айдаралиев, Н.В.Зотова, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин «Прямые оптические переходы в излучательной рекомбинации в твердых растворах InGaxAs (0=< x=< 0.16)», ФТП, 2001,т 35, в. 12, 1431-1433

V. K. Malyutenko, O.Yu.Malyutenko, A. D. Podoltsev, I.N.Kucheryavaya, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus', “CURRENT CROWDING IN InAsSb LED STRUCTURES”, Applied Physics Letters, v.79, issue 25, p. 4228-4230, December 17, 2001

B.A. Matveev, M. A'daraliev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, M.A. Remenniy, N.M. Stus', G.N. Talalakin, V.K. Malyutenko and O.Yu. Malyutenko “Negative luminescence from InAsSbP-based diodes in the 4.0-4.3 mkm spectral range”, Testing, Reliability, and Applications of Optoelectronic Devices, Editor(s): Aland K. Chin and Niloy K. Dutta, SPIE Proceedings Vol. 4285, pp.109-117 (2001)

Matveev, Boris A.; Aydaraliev, Meyrhan; Zotova, Nonna V.; Karandashov, Sergey A.; Remennyi, Maxim A.; Stus', Nikolai M.; Talalakin, Georgii N. “High-power and single-mode DH InGaAsSb(Gd)/InAsSbP (lambda =3.3 mkm) diode lasers”, Proc. SPIE Vol. 4278, p. 13-18, Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications V, H. Walter Yao; E. Fred Schubert; Eds.

2002

B. A. Matveev, N. V. Zotova, N .D. Il’inskaya, S. A. Karandashev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’ and G. N. Talalakin, "Towards efficient mid-IR LED operation: optical pumping, extraction or injection of carriers? ”, J.Mod.Optics, v.49 (2002), No 5/6, pp. 743-756

B. A. Matveev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’ and G. N. Talalakin “Towards longwave (5-6 mkm) LED operation at 80oC : injection or extraction of carriers?”, IEE Proceedings - Optoelectronics v. 149 (2002) , Issue 1, pp. 33 - 35.

M. Aydaraliev, N. V. Zotova, S. A. Karandashov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus', G. N. Talalakin, W. W. Bewley, J. R. Lindle, and J. R. Meyer, “6 W InGaAsSb(Gd)/InAsSbP double-heterostructure diode lasers emitting at l =3.3 µm), Applied Physics Letters -- August 12, 2002 – Volume 81,Issue7,pp.1166-1167

М.Айдаралиев, Н.В.Зотова, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин , "Иммерсионные инфракрасные светодиоды с оптическим возбуждением на основе узкозонных полупроводников AIIIBV" ,ФТП, 2002, том 36, выпуск 7 , 881-884

Alexandrov, S. E.; Gavrilov, Gennadii A.; Kapralov, A. A.; Karandashev, Sergey A.; Matveev, Boris A.; Sotnikova, Galina Y.; Stus', Nikolai M. “Portable optoelectronic gas sensors operating in the mid-IR spectral range (lambda=3-5 um)”, Proc. SPIE Vol.4680 (2002) , pp. 188-194, Second International Conference on Lasers for Measurement and Information Transfer, Vadim E.Privalov, Ed.

Matveev, Boris A.; Zotova, Nonna V.; Karandashev, Sergey A.; Remennyi, Maxim A.; Stus', Nikolai M.; Talalakin, Georgii N. “Backside illuminated In(Ga)As/InAsSbP DH photodiodes for methane sensing at 3.3 um”, Proc. SPIE Vol 4650, p.173-178, Photodetector Materials and Devices VII (2002),

М.Айдаралиев, Н.В.Зотова, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин, В.В.Шустов, В.В.Кузнецов, Е.А.Когновицкая, “Изопериодные структуры GaInPAsSb/InAs для приборов инфракрасной оптоэлектроники “ ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, 1010-1015

Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н., Шустов В.В. Двухволновое излучение в структуре GaInPAsSb/InAs с разъединенным изотипным гетеропереходом и p-n-переходом в подложке, Письма в Журнал Технической Физики, 2002, т. 28, № 23, стр. 58-74

А.В.Сукач, В.В.Тетеркин, Н.В.Зотова, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин “Неохлаждаемые фотодиоды p+-InAsSbP/n-InAs для использования в оптоэлектронных сенсорах метана”, Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2002, вып.37, стр. 215-219

В.Г.Сидоров, Н.В.Зотова, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин, Федоров А.С. «Источники отрицательной люминесценции с среднем ИК-диапазоне спектра», Тезисы докладов Всероссийской научной конференции «Физика полупроводников и полуметаллов « (ФПП-2002), СПБ, 2002, стр.75-76

B. A. Matveev, M. Aidaraliev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, M. A. Remennyi, N. M. Stus', and G. N. Talalakin «In(Ga)As- and InAs(Sb)-Based Heterostructure LEDs and Detectors for the 3-5 mkm Spectral Range» Abstract of the 5th International Conference on Mid-Optoelectronics Materials and Devices (MIOMD-V), September 8-11, 2002, Annapolis, Maryland, USA (приглашенный доклад)

2003

M Aidaraliev, N V Zotova, N D Il’inskaya, S A Karandashev, B A Matveev, M A Remennyi, N M Stus’ and G N Talalakin “InAs and InAsSb LEDs with built-in cavities” Semicond. Sci. Technol. 18 (2003) 269–272

M A Remennyi, N V Zotova, S A Karandashev, B A Matveev, N M Stus’ and G N Talalakin “Low voltage episide down bonded mid-IR diode optopairs for gas sensing in the 3.3-4.3 um spectral range” Sensors & Actuators B: Chemical, Volume 91, Issues 1-3 , 1 June 2003, Pages 256-261

Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. “Отрицательная люминесценция на длине волны 3.9 мкм в диодах на основе InGaAsSb”, ФТП, 2003, том 37, выпуск 8, 951-953

Boris A. Matveev, Meyrhan Aydaraliev, Nonna V. Zotova, Sergey A. Karandashov, Natalia D. Il’inskaya, Maxim A. Remennyi, Nikolai M. Stus', Georgii N. Talalakin, «Flip-chip bonded InAsSbP and InGaAs LEDs and detectors for the 3 mm Spectral Region” IEE Proc.-Optoelectronics 2003, v.150, No 4, pp.356-359

B.Matveev, N.Zotova, S.Karandashov, N.Il’inskaya, M.Remennyi, N.Stus' and G.Talalakin, “Flip-chip” mid-IR LEDs for fibre optic chemical sensing”, Nothern Optics 2003 Abstracts, 16-18 June 2003, Espoo, Finland, p.123

B. A. Matveev, N.V.Zotova, S. A. Karandashev, M. m “Flip-chip” LEDs for FibermA. Remennyi, N. M. Stus' and G.N.Talalakin “3.4 Optic Liquid Sensing” Proceedings of the 1-st International CONFERENCE on ADVANCED OPTOELECTRONICS and LASERS (CAOL'2003), September 16-20, 2003 Alushta, Crimea, Ukraine v.2, pp138-140

Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н., «Отрицательная люминесценция в узкозонных гетероструктурах А3В5» Тезисы докладов на 6-ой Всероссийской конференции по физике полупроводников “2003

M.A. Remennyi, B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, N.M. Stus' and G.N. Talalakin. "InGaAsSb negative luminescent devices with built-in cavities emitting at 3.9 um", Book of abstracts of the 11th international Conference on Narrow Band Semiconductors , Buffalo, USA, June 16-20, 2003, p.42

С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев, «Оптоэлектронные диодные пары положительного и отрицательного контраста для средней инфракрасной области спектра», Тезисы доклада Международного семинара по оптоэлектронике, 27-28 ноября 2003 года, СПБ.

2004

M.A. Remennyi, B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, N.M. Stus’ and G.N. Talalakin. “InGaAsSb negative luminescent devices with built-in cavities emitting at 3.9 um”, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Vol. 20(3-4), pp. 548-552 (2004)

Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Воронова Н.А., Гусинский Г.М., Найденов В.О. «Получение сильнокомпенсированного InAs методом облучения протонами», ПЖТФ, 2004, том 30, выпуск 1, стр. 35-42

В.Е. Сабинин, С.В. Солк, Б.А. Матвеев “ДИОДНЫЕ СВЕТОАКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ В ОПТИКЕ И ФОТОМЕТРИИ” Труды Шестой международной конференции «Прикладная оптика-2004», т.1 , стр. 200-204

Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Шустов В.В. «Светодиоды на основе InAs с резонатором, сформированным анодным контактом и границей раздела полупроводник/воздух» ФТП, 2004, том 38, выпуск 10 , 1270-1274

Матвеев Борис Анатольевич, Ременный Максим Анатольевич, Вайнштейн Владимир, “Способ оптического определения содержания компонентов газовой среды”, Патент РФ № 2238541 с приоритетом от 08.04.2003, опубликован 20.10.2004

Volodymyr Malyutenko, Oleg Malyutenko, Andrey Zinovchuk, Nonna Zotova, Sergey Karandashev, Boris Matveev, Maxim Remennyi, Nicolay Stus “InAs(Sb) LEDs and negative luminescent devices for dynamic scene simulation in the first atmospheric window (3-5 um)” Book of abstracts of the 6th International Conference “Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices (MIOMD-VI)” (June 28 – July 02 2004, St.Petersburg)

N. V. Zotova, N .D. Il’inskaya, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remennyi and N. M. Stus’ InAs and InAsSbP Flip-chip LEDs for Fiber Optic Liquid Sensing in the 3-3.3 µm spectral range Book of abstracts of the 6th International Conference; "Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices (MIOMD-VI)” (June 28 – July 02 2004, St.Petersburg 137-138

N. V. Zotova, N .D. Il’inskaya, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remennyi and N. M. Stus’ Vertically emitting InAs LEDs and lasers with mirror anode. Book of abstracts of the 6th International Conference “Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices (MIOMD-VI)” (June 28 – July 02 2004, St.Petersburg

Volodymyr Malyutenko, Oleg Malyutenko, Andrey Zinovchuk, Nonna Zotova, Sergey Karandashev, Boris Matveev, Maxim Remennyi, Nicolay Stus “InAs(Sb) LEDs and negative luminescent devices for dynamic scene simulation in the first atmospheric window (3-5 mm)” Book of abstracts of the 6th International Conference “Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices (MIOMD-VI)” (June 28 – July 02 2004, St.Petersburg)

В.В. Уелин , В.И. Ратушный, Б.А.Матвеев, «ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ InAs ДЛЯ СВЕТОДИОДОВ С РЕЗОНАНСНОЙ ЯЧЕЙКОЙ» Тезисы VI Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектроники, СПБ, 6-10 декабря 2004 г.

А.В.Сукач, В.В.Тетеркин, С.В.Старый, Н.В.Зотова, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин “Неохлаждаемые p-InAsSbP/n-InAs фотодиоды для оптоэлектронных сенсоров”, Тезисы докладов на XVIII Международной конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-28 мая 2004 года, Москва, стр. 29

2005

B. Matveev., N. Zotova, N. Il’inskaya, S. Karandashev, M. Remennyi, and N. Stus’, “Spontaneous and stimulated emission in InAs LEDs with cavity formed by gold anode and semiconductor/Air interface”, phys. stat. sol. (c) 2, No. 2, 927–930 (2005)

Н.В.Зотова, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Н.М.Стусь, Н.Г.Тараканова, «Люминесценция l=6-9 мкм многослойных структур на основе InAsSb» , ФТП, 2005, том 39, выпуск 2 стр. 230-233

Б.А.Матвеев, «"Холодное излучение" светодиодов среднего инфракрасного диапазона», Бюллетень Лазер информ, выпуск №10 (313), май 2005

V. V. Tetyorkin; A. V. Sukach; S. V. Stariy; N. V. Zotova; S. A. Karandashev; B. A. Matveev; N. M. Stus, “p+-InAsSbP/n-InAs photodiodes for IR optoelectronic sensors”, Infrared Photoelectronics, Antoni Rogalski; Eustace L. Dereniak; Fiodor F. Sizov, Editors, 59570Z, Proceedings Vol. 5957, Date: 29 September 2005

B.A. Matveev, N.V. Zotova, N.D. Il’inskaya, S.A. Karandashov, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin, “Radiation Source”, US patent # 6 876 006 with grant date 5 April 2005.

T.G.J. Jones, B. Matveev, V. Vanshteyn, C.Besson, O.C. Mullins and L. Jiang, “Method and Sensor for monitoring gas in a downhole environment” UK Patent 2402476, published 03.08.2005

Б.А.Матвеев «Полупроводниковый источник инфракрасного излучения» патент РФ № 2261501 с приоритетом от 09 июня 2001 года, зарегистрирован 27 сент. 2005 года

Александров С.Е., Гаврилов Г.А., Капралов А.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Сотникова Г.Ю “Портативный газоанализатор на базе диодных оптопар среднего ИК-диапазона”, ЛАЗЕРЫ ДЛЯ МЕДИЦИНЫ, БИОЛОГИИ И ЭКОЛОГИИ-2005, С.Петербург, январь 2005

V.V. Tetyorkin, A.V. Sukach, S.V. Stariy, B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus, "p-InAsSbP/n-InAs photodiodes for IR optoelectronic sensors" Book of abstracts of the SPIE conference on Optics and Optoelectronics in Warsaw (Poland). 30 August 2005

S.A.Aleksandrov, G.A.Gavrilov, A.A.Kapralov, S. A. Karandashev, N. V. Zotova, , B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’, G.Yu.Sotnikova and Petrov V.A., «Single channel gas analyzers based on immersion lens Mid-IR diode optopairs», Book of abstracts of the 6th International Conference "Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices (MIOMD-VII), September 2005, Lancaster, UK

B. A. Matveev, N. V. Zotova, N.D.Il’inskaya, S. A. Karandashev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’, V.V.Shustov and A.A.Shlenskii, “Mid-IR deep mesa LEDs”, Book of abstracts of the 6-th International Conference "Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices (MIOMD-VII), September 2005, Lancaster, UK

B. A. Matveev, N. V. Zotova, N.D.Il’inskaya, S. A. Karandashev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’ and V.V.Shustov , “3.3-4.3 mm high brightness LEDs”, Digest of the MRS Fall-2005 conference, Symposium EE: Progress in Semiconductor Materials V—Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications, November 28 - December 2, Boston, MA, USA

Р.В. Левин, В.В. Уелин, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный, Б.А. Матвеев “Исследование эпитаксиальных слоев антимонида галлия, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Тезисы VII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектроники, СПБ, 5-9 декабря 2005 г.

Карандашев С.А., Шленский А.А., Матвеев Б.А., Корюк А.В., Лунин, В.И. Ратушный В.И., «“ФЛИП-ЧИП” ФОТОДИОДЫ НА ОСНОВЕ GaInAsSb, РАБОТАЮЩИЕ ПРИ 20-140°С В ИНТЕРВАЛЕ ДЛИН ВОЛН 1.9-2.2 мкм», Тезисы VII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектроники, СПБ, 5-9 декабря 2005 г.

S.A. Aleksandrov, G.A. Gavrilov, A.A. Kapralov, B.A. Matveev, Petrov V.A., M.A. Remennyi, G.Yu. Sotnikova, “ Portable gas analyzers based on immersion lens Mid-IR diode optopairs: model, construction and testing” VIII International Conference For Young Researchers , Wave Electronics and Its Applications in Information and Telecommunication Systems, 4-5 September 2005, St.Petersburg

2006

Matveev B A, Zotova N V, Il’inskaya N D, Karandashev S A, Remenyi M A, Stus’ N M, Kovchavtsev A P, Kuryshev G L and Polovinkin V G 2006 3.3 μm high brightness LEDs Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 891 9–14 (Boris Matveev, Nonna Zotova, Natalya Il'inskaya, Sergey Karandashev, Maxim Remennyi, Nicolay Stus', Anatoly Kovchavtsev, Georgii Kuryshev, Vladimir Polovinkin, Natalya Tarakanova “3.3 um high brightness LEDs”( paper # 0891-EE01-04 ), Progress in Semiconductor Materials V -- Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications, MRS Proceedings Volume 891, Editors: L.J. Olafsen, R.M. Biefeld, M.C. Wanke, A.W. Saxler)

Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Шленский А.А. «Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие на длине волны 1.94 мкм», ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, 356-361

Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М. «Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления», ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, 717-723

Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Шустов В.В., Тараканова Н.Г. «Флип-чип светодиоды на основе InAs с буферными слоями из InGaAsSb», ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, 1004-1008

Boris A.Matveev , ”LED-Photodiode Opto-pairs” in Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics, Springer Series in OPTICAL SCIENCE, ISSN 0342-4111, pp. 395- 428, 2006

Левин Р.В., Власов А.С., Зотова Н.В., Матвеев Б.А., Пушный Б.В., Андреев В.М. «Свойства эпитаксиальных слоев антимонида галлия, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений», ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, 1427-1431

Матвеев Б.А., Лунин Л.С., Ременный М.А., Зотова Н.В., Пушный Б.В., Ратушный В.И., Литвин Н.В., Уелин В.В., “ПОЛУЧЕНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ INAS МЕТОДОМ MO-ГФЭ”, Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Серия: Технические науки. 2006. № 1. С. 40-43.

T.G.J. Jones, B. Matveev, V. Vanshteyn, C.Besson, O.C. Mullins and L. Jiang, “Method and Sensor for monitoring gas in a downhole environment” US Patent 6995360 , issued February 2006

Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, А.В. Корюк, Б.А.Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь. «ИММЕРСИОННЫЕ ФОТОДИОДЫ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ИНДИЯ, РАБОТАЮЩИЕ ПРИ КОМНАТНОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ» Материалы Девятой конференции "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2006, 3-5 октября, 2006, Томск, Россия, стр. 408-411

Матвеев Б.А «Полупроводниковый диод для инфракрасного диапазона спектра», патент РФ № 2286618 по заявке № 2002119616 от 16.07.2002

2007

В.И.Иванов-Омский, Б.А.Матвеев, «Отрицательная люминесценция и приборы на ее основе (обзор)», ФТП, 2007, том 41, выпуск 3, 257-268

Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Шленский А.А., Лунин Л.С., Ратушный В.И., Корюк А.В., Тараканова Н.Г «Свойства «иммерсионных» фотодиодов (l =1.8-2.3 мкм) на основе GaInAsSb/GaSb в интервале температур 20-140o C» ФТП, 2007, том 41, выпуск 11, 1389-1394

M. A. Remennyy; B. A. Matveev; N. V. Zotova; S. A. Karandashev; N. M. Stus; N. D. Il’inskaya “InAs and InAs(Sb)(P) (3-5 mk m) immersion lens photodiodes for portable optic sensors” SPIE Proceedings Vol. 6585 (Optical Sensing Technology and Applications) , Editor(s): Francesco Baldini; Jiri Homola; Robert A. Lieberman; Miroslav Miler, Date: 1 May 2007, ISBN: 9780819467133, 658504, DOI: 10.1117/12.722847

Tetyorkin,V.V.; Sukach,A.V.; Staryi ,S.V.; Zotova,N.V.; Karandashev,S.A.; Matveev,B.A.; Remennyi,M.A.; Stus,N.M., “Performance of InAs-based infrared photodiodes”, Proc. SPIE , v.6585, #658520 (Optical Sensing Technology and Applications) , Editor(s): Francesco Baldini; Jiri Homola; Robert A. Lieberman; Miroslav Miler, Date: 1 May 2007. Proc. of SPIE Vol. 6585, 658520, (2007) · 0277-786X/07/$18 · doi: 10.1117/12.723016

С.А. Карандашев, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Н.М. Стусь, Л.С. Лунин; В.И.Ратушный; А.В. Корюк, В.В. Кузнецов "Флип-чип фотодиоды на основе InAs, работающие при 20-100 С в интервале длин волн 2.7-3.7 мкм", Известия ВУЗов, Материалы электронной техники, №3, 36-38, 2007

B. A. Matveev, M. A. Remennyi, S. A. Karandashev and A. A. Shlenskii «GaInAsSb/GaSb (l=1.8-2.3 mkm) immersion lens photodiodes» (oral) at the 8th International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices (MIOMD-VIII) May 14-16, 2007 , Bad Ischl , Austria.

V.V. Teterkin, A.V. Sukach, S.V. Stary, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, B.A.Matveev, M. A. Remennyi and N. M. Stus’ “Progress in InAs Infrared Photodiodes” (poster) at the 8th International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices (MIOMD-VIII) May 14-16, 2007, Bad Ischl, Austria.

Remennyi M.A., Zotova N.V., Karandashev S.A., Matveev B.A., Stus’ N.M, «InAs and InAs(Sb)(P) (3-5 mm) immersion lens photodiodes for portable optic sensors» (oral paper 6585-03) at the SPIE International Congress on Optics and Optoelectronics (Optical Sensors) Prague, April 16-20, 2007. Prague Congress Centre , Prague, Czech Republic

Tetyorkin V.V., Sukach A.V., Stary S.V., Zotova N.V., Karandashev S.A., Matveev B.A., Remennyi M.A., Stus’ N.M, «Performance of InAs-based Infrared Photodiodes» (poster paper 6585-77) at the SPIE International Congress on Optics and Optoelectronics (Optical Sensors) Prague, April 16-20, 2007. Prague Congress Centre , Prague, Czech Republic

А.А. Усикова, Н.В. Зотова, Ю.М. Задиранов, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М.Стусь «Светодиоды l=3.3 мкм с оптическим возбуждением на основе фотонных кристаллов в арсениде индия», Тезисы стендового доклада на VIII Российской конференции по физике полупроводников “ПОЛУПРОВОДНИКИ-2007”, г.Екатеринбург, 30.09.07-5.10.07

Т.В. Львова, А.В. Анкудинов, А.Н. Карпенко, М.А. Ременный, А.Н.Смирнов, S. Gwo, «Влияние травления и пассивации на морфологию поверхности эпитаксиальных слоев InN и их оптические характеристики», Тезисы стендового доклада на VIII Российской конференции по физике полупроводников“ПОЛУПРОВОДНИКИ-2007”, г.Екатеринбург, 30.09.07-5.10.07

2008

Н.В. Зотова, Н.Д.Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М.Стусь, «Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия (обзор)», ФТП, 42, №6, 641-657, (2008).

Задиранов Ю.М., Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Усикова А.А., «Светодиоды (l=3.6 μm) с оптическим возбуждением на основе фотонных кристаллов в арсениде индия», ПЖТФ, 2008, том 34, выпуск 10, стр. 1-7.

А.Л.Закгейм, Н.В.Зотова, Н.Д.Ильинская, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Н.М.Стусь, А.А.Усикова, А.Е.Черняков, «ИК изображения флип-чип диодов на основе InAsSbP в спектральной области 3 мкм», Прикладная Физика, 2008, N6, 143-148.

G.Yu.Sotnikova, S.E.Aleksandrov, G.A.Gavrilov, A.A.Kapralov, B.M.Matveev, M.A.Remennyy, «Modeling of Performance of Mid-Infrared Gas Sensors Based on Immersion Lens Diode Optopairs» IEEE SENSORS 2008 Section "Optical Sensors II" LECCE, ITALY, Proceedings

Б.А. Матвеев, А.Л.Закгейм, Н.В.Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.Е. Черняков, «Широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb с длинноволновой границей чувствительности l=4.5 мкм», Тезисы доклада на XX Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения 27-30 мая 2008 Москва, Россия, стр. 101-102

B. A. Matveev, A.L. Zakgeim, N.V. Zotova, N.D.Il’inskaya, S. A. Karandashev, M. A. Remennyy, N. M. Stus’ and A.E. Cherniakov "InAs(Sb) backside illuminated photodiodes and LEDs with deep mesa", Book of abstracts of the 9 th International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices, 7 th - 11 th September 2008, Freiburg, Germany, pp. 54-55

С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, «Неохлаждаемые фотодиоды на основе узкозонных структур III-V для средней ИК области спектра (3-5 мкм)», тезисы доклада на Международном семинаре по опто- и наноэлектронике, 27 октября 2008 г., СПБ, стр. 25

Б.А. Матвеев, Ю.М.Задиранов, Н.В.Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А.Усикова. «Светодиоды и диодные линейки с фотонным кристаллом для среднего инфракрасного диапазона на основе In(Ga)As(Sb)». Тезисы доклада на Международном Форуме по нанотехнологиям (3-5 декабря 2008 года), Москва, сборник тезисов, т.1, стр.136-138

2009

А.Л.Закгейм, Н.В.Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.Е. Черняков, «Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (lcut off =4.5 мкм)», ФТП, 43, №3, 412-417 (2009).

А.Л.Закгейм, Н.В.Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А.Усикова А.Е. Черняков, “Светоизлучающая диодная линейка (l=3.7 мкм) на основе InGaAsSb”, ФТП, 43, № 4, 531-536 (2009).

B.A. Matveev , Yu. M. Zadiranov, A. L. Zakgeim, N. V. Zotova, N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashev, M. A. Remennyy, N. M. Stus', A. A. Usikova, O.A. Usov, A.E. Cherniakov , “Midinfrared (λ= 3.6 μm) LEDs and arrays based on InGaAsSb with photonic crystals”, Photonic and Phononic Crystal Materials and Devices IX, edited by Ali Adibi, Shawn-Yu Lin, Axel Scherer, Proc. of SPIE Vol. 7223, doi: 10.1117/12.808130 , Proc. of SPIE Vol. 7223 72231B-1-7 (2009)

Закгейм А.Л., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Черняков А.Е., Шленский А.А. “Распределение излучения в светодиодах на основе GaInAsSb/GaSb”, ФТП, том 43, выпуск 5, 689-694 (2009) ,

Александров С.Е., Гаврилов Г.А., Капралов А.А., Матвеев Б.А., Сотникова Г.Ю., Ременный М.А. «Моделирование характеристик оптических газовых сенсоров на основе диодных оптопар среднего ИК-диапазона спектра», Журнал технической физики, 2009, том 79, вып. 6, 112-118

T. Kuusela, J. Peura, B. A. Matveev, M. A. Remennyy, N. M. Stus’, «Photoacoustic gas detection using a cantilever microphone and III–V mid-IR LEDs», Vibrational Spectroscopy, 51(2), 289-293 (2009).

B.A. Matveev , Yu. M. Zadiranov, A. L. Zakgeim, N. V. Zotova, N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashev, M. A. Remennyy, N. M. Stus', A. A. Usikova, O.A. Usov, A.E. Cherniakov , “Midinfrared (λ= 3.6 μm) LEDs and arrays based on InGaAsSb with photonic crystals”, Book of Abstracts Photonic and Phononic Crystal Materials and Devices IX, Paper 7223-35 , San Jose, CA, USA, 24-29 January 2009

С.А. Карандашев, Ю.М. Задиранов, А. Л. Закгейм, Н.Д. Ильинская, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А.Усикова, А.Е.Черняков, «Светодиодные линейки для среднего инфракрасного диапазона спектра с фотонным кристаллом» , Тезисы доклада Второго Международного форума по нанотехнологиям, Москва, 6-8 октября 2009 г. Стр. 71-73

Чаус М.В., Рыбальченко А.Ю., Матвеев Б.А., Ратушный В.И. «СВЕТОДИОДЫ НА ОСНОВЕ p-InAsSbP/n-InAs В УСЛОВИЯХ СИЛЬНОЙ ИНЖЕКЦИИ», Тезисы доклада на XI Всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике 30 ноября по 4 декабря 2009 г, стр. 106

2010

Sotnikova, G. Y.; Gavrilov, G. A.; Aleksandrov, S. E.; Kapralov, A. A.; Karandashev, S. A.; Matveev, B. A.; Remennyy, M. A. "Low Voltage CO2-Gas Sensor Based on III–V Mid-IR Immersion Lens Diode Optopairs: Where we Are and How Far we Can Go?" Sensors Journal, IEEE Volume 10, Issue 2, Feb. 2010 Page(s):225 - 234
Digital Object Identifier 10.1109/JSEN.2009.2033259

B.A. Matveev, Yu.M. Zadiranov, A.L. Zakgeim, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, M.A. Remennyy, N.M. Stus', A.A. Usikova, A. E. Cherniakov, “InGaAsSb LED arrays (λ = 3.7 µm) with Photonic Crystals” Photonic and Phononic Crystal Materials and Devices X, edited by Ali Adibi, Shawn-Yu Lin, Axel Scherer, Proc. of SPIE Vol. 7609, 76090I-1 -5 · © 2010 SPIE CCC code: 0277-786X/10/$18 doi: 10.1117/12.841689; Proc. SPIE, v.7609, страницы: #76090I

B.A. Matveev, A.V. Ankudinov, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, T.V. L’vova, M.A. Remennyy, A.Yu. Rybal’chenko, N.M. Stus’, “Properties of mid-IR diodes with n-InAsSbP/n-InAs interface” (Proceedings Paper), Published 25 February 2010 Vol. 7597: Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XVIII, Bernd Witzigmann; Fritz Henneberger; Yasuhiko Arakawa; Marek Osinski, Editors, #75970G; Proc. SPIE, v.7597, страницы: #75970G

K. Keränen, K. Kautio, J. Ollila, M. Heikkinen, I. Kauppinen, T. Kuusela, B. Matveev, M. E.McNie, R. M. Jenkins, P. Karioja, ”Differential photo-acoustic gas cell based on LTCC for ppm gas sensing”, (Proceedings Paper) Published 23 February 2010 Vol. 7607: Optoelectronic Interconnects and Component Integration IX, Alexei L. Glebov; Ray T. Chen, Editors, 760714 Proc. SPIE, v.7607

Karioja,P; Keranen,K; Kautio,K; Ollila,J; Heikkinen,M; Kauppinen,I; Kuusela,T; Matveev,B; McNie, ME; Jenkins,RM; Palve,J “LTCC-based differential photo acoustic cell for ppm gas sensing” Proc. SPIE, v.7726, страницы: #77260H 2010 SPIE ISSN: 0277-786X

T. Kuusela, J. Peura, B. A. Matveev, M. A. Remennyy, and N. M. Stus’, “Photoacoustic effect induced by negative luminescence device”, J. Appl. Phys 108, 014903 (2010); doi:10.1063/1.3456499 (6 pages)

B.A. Matveev, A.V. Ankudinov, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, T.V. L’vova, M.A. Remennyy, A.Yu. Rybal’chenko, N.M. Stus', “Properties of mid-IR diodes with n-InAsSbP/n-InAs interface”, Paper 7597-16 of Conference 7597 Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XVIII, Photonics West 2010, San Francisco 23-28 January 2010 (У)

Boris A. Matveev, Yurii M. Zadiranov, Aleksandr L. Zakgeim, Natalya Il'inskaya, Sergey Karandashev, Maxim Remennyy, Nicolay Stus', Anna A. Usikova, Anton E. Cherniakov, Andrey Fedorov “InGaAsSb LED arrays (λ = 3.7 μm) with photonic crystals”, Paper 7609-16 of Conference 7609 Photonics West 2010, San Francisco 23-28 January 2010(У)

K. Keränen, K. Kautio, J. Ollila, M. Heikkinen, I. Kauppinen, T. Kuusela, B. Matveev, M. E.McNie, R. M. Jenkins, P. Karioja, “Differential photo-acoustic gas cell based on LTCC for ppm gas sensing”, Paper 7607-39 of Conference 7607 Photonics West 2010, San Francisco 23-28 January 2010(У)

Львова Т.В., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Константинов О.В., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Рыбальченко А.Ю., Стусь Н.М., «ИК ФОТОДИОДЫ НА ОСНОВЕ МНОГОБАРЬЕРНЫХ СТРУКТУР, СОДЕРЖАЩИХ InAs», Тезисы доклада XXI-ой Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-28 мая 2010, Москва, Россия, стр. 102 (2010)(У).

N.V. Zotova, S.A. Karandashev, T.V. L’vova, B.A. Matveev, M.A. Remennyy, A.Yu. Rybal’chenko and N.M. Stus’. “Auger recombination rates in InAsSbP/InAs heterostructure mid-IR LEDs”, Book of abstracts of the 10 th International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices MIOMD-X, Shanghai, China, September 5-9, 2010, p 148.(С)

Чаус М. В. Матвеев Б. А., «СВЕТОДИОДНЫЕ ИСТОЧНИКИ СРЕДНЕЙ ИК-ОБЛАСТИ ДЛЯ ТЕСТИРОВАНИЯ ТЕПЛОВИЗИОННЫХ СИСТЕМ» Тезисы доклада на XII Всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике c 26 октября по 28 октября 2010 г(У)

Чаус М.В., Рыбальченко А.Ю., Матвеев Б.А., Ратушный В.И., «Неравномерность протекания тока и её учёт при определении характеристик поверхностно облучаемых фотодиодов на основе p-InAsSbP/n-InAs». Тезисы докладов Молодежной конференции по физике и астрономии для молодых ученых Санкт-Петербурга и Северо-Запада «ФизикА.СПб» 2010(С)

Чаус М.В., Матвеев Б.А., «Инфракрасные (3-5 мкм) линейки и светодиоды с фотонными кристаллами для газовых сенсоров на основе твердых растворов InAs», Тезисы докладов Молодежной конференции по физике и астрономии для молодых ученых Санкт-Петербурга и Северо-Запада «ФизикА.СПб» 2010(С)

Б.А. Матвеев, В.В. Кузнецов, В.И. Ратушный, А.Ю. Рыбальченко. “Анализ характеристик поверхностно облучаемых фотодиодов с учетом неравномерности протекания тока”. Тез. докл. на Национальной конференции по росту кристаллов НКРК-2010, г. Москва, 6-10 декабря, 2010 г

2011

Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Рыбальченко А.Ю., Стусь Н.М., «Пространственная неравномерность протекания тока и ее учет при определении характеристик поверхностно облучаемых фотодиодов на основе InAsSbP/InAs», ФТП, 2011, том 45, выпуск 4, 554-559.

Гаврилов Г.А., Матвеев Б.А., Сотникова Г.Ю., «Предельная чувствительность фотоприёмного устройства на основе фотодиодов А3В5 среднего ИК-диапазона спектра», Письма ЖТФ, 37(18), 50-57 (2011).

Матвеев Б.А., Ратушный В.И., Рыбальченко А.Ю., Сотникова Г.Ю., “Высокотемпературные датчики углекислого газа для систем безопасности в энергетике на основе поверхностно облучаемых фотодиодов на основе InAsSb”, Глобальная ядерная безопасность, 1(1), 110-116 (2011).

С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, И.В. Мжельский, В.Г. Половинкин, М.А. Ременный, А.Ю. Рыбальченко, Н.М. Стусь, «Об эффективности сбора фототока в обратно-смещенных фотодиодах на основе InAsSbP (λc= 4.5 мкм)», Тезисы доклада на Российской конференции и школе по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники, «Фотоника 2011», 22-26 августа 2011г., Новосибирск, стр. 22.

2012

С.А. Карандашев , Б.А. Матвеев , И.В. Мжельский, В.Г. Половинкин , М.А. Ременный, А.Ю. Рыбальченко, Н.М. Стусь, “Неравномерность пространственного распределения отрицательной люминесценции в фотодиодах на основе InAsSb(P) (длинноволновая граница λ0.1= 5.2 мкм)”, ФТП, 46 (2), стр. 259-261 (2012).

Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., «Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSb(P) с длинноволновой границей чувствительности 5.8 μm» , ПЖТФ, 2012, том 38, выпуск 5, стр.85-90.

Н.Д. Ильинская, А.Л. Закгейм, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, В.И. Ратушный, М.А. Ременный, А.Ю. Рыбальченко , Н.М. Стусь, А.Е. Черняков, «Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница λ0.1 = 4.5 мкм), работающие при температурах 25−80◦C», Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, вып. 5, 708 -713.

Н.В.Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, «Распределение излучения иммерсионных светодиодов на длину волны 3.4 мкм в дальнем поле», Оптический журнал, том 79, в. 9, стр.60-65 (2012).

Трухин В.Н.; Голубок А.О.; Лютецкий А.В.; Матвеев Б.А.; Пихтин Н.А.; Самойлов Л.Л.; Сапожников И.Д.; Тарасов И.С.; Фельштын М.Л.; Хорьков Д.П., “Диагностика полупроводниковых структур с использованием терагерцового безапертурного ближнепольного микроскопа”, Изв. ВУЗов. Радиофизика, т.54, 8-9 страницы: 640-648 (2012).

K. Keränen, ,J. Ollila, H. Saloniemi, B. Matveev, J. Raittila, A. Helle, I. Kauppinen, T. Kuusela, L. Pierno, P. Karioja, M. Karppinen, “Portable Methane Sensor Demonstrator based on LTCC Differential Photo Acoustic Cell and Silicon Cantilever”, Procedia Engineering, Volume 47, 2012, Pages 1438–1441.

Карандашев С.А., Ильинская Н.Д., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М. , «Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (λ0.1 = 4.5 мкм), работающие при температурах 25-80 ºС», тезисы доклада на 22-ой Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, стр.123, Москва 2012.

Boris Matveev, Maxim Remennyy, Karandashev Sergey, Kimmo Keränen, Heini Saloniemi, Jyrki Ollila, Tom Kuusela, Ismo Kauppinen, «Microimmersion lens LEDs for portable photoacoustic methane sensors», IMCS 2012 - The 14th International Meeting on Chemical Sensors May 20 - 23, 2012, Nürnberg/Nuremberg, Germany, p.241-243, DOI 10.5162/IMCS2012/2.5.5.

B. A. Matveev, N. D. Il’inskaya, S. A. Karandashev, M. A. Remennyi, N.M. Stus’, “Photocurrent crowding in InAsSbP based front surface illuminated photodiodes”, abstracts of the 11th international conference on Infrared Optoelectronics: Materials and Devices (MIOMD-XI), September 4-8, p. 257-258 (2012).

2013

Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Н.М., Латникова, А.А., Лавров, Б.А., Матвеев, А.С. Петров, М.А. Ременный, Е.Н. Севостьянов, Н.М.Стусь, «Охлаждаемые фотодиоды на основе одиночной гетероструктуры II-типа p-InAsSbP/n-InAs», Письма в ЖТФ, 2013, том 39, вып. 18, стр.45-52.

А.А.Усикова, Н.Д.Ильинская, Б.А.Матвеев, Т.В.Шубина, П.С.Копьев, “Фотонные кристаллы и брэгговские решетки для излучателей среднего инфракрасного и терагерцового диапазонов спектра”, ФТП, 2013, том 47, выпуск 12, 1595-1598

P.Santhanam, D. Huang, R. J. Ram, M.A. Remennyi, B.A. Matveev, “Room Temperature Thermo-Electric Pumping in mid-Infrared Light-Emitting Diodes”, Appl. Phys. Lett. 103 (19), 183513 (1 November 2013); doi: 10.1063/1.4828566

Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Н.М., Латникова, А.А., Лавров, Б.А., Матвеев, А.С. Петров, М.А. Ременный, Е.Н. Севостьянов, Н.М.Стусь, «Охлаждаемые фотодиоды на основе одиночной гетероструктуры p-InAsSbP/n-InAs», Тезисы доклада на XI-ой Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2013», стр.424. Санкт-Петербург, 16-20 сентября 2013 года

П.Н.Брунков, Н.Д.Ильинская, С.А. Карандашев, А.А Лавров, Б.А. Матвеев, А.С.Петров, М.А.Ременный, Н.М.Стусь, “Фотодиоды на основе одиночной гетероструктуры p-InAsSbP/n-InAs для работы при неглубоком охлаждении”, Труды Х-ой юбилейной научно-технической конференции (Карасевские чтения) «Системы наблюдения, мониторинга и Дистанционного Зондирования Земли» (ДДЗ), Геленджик, сентябрь 2013 года, стр. 363-368.

С. А. Карандашев , Б. А. Матвеев, «Фотодиоды на основе одиночной гетероструктуры II-типа p-InAsSbP/n-InAs для работы при неглубоком охлаждении», Тезисы доклада Международного семинара по опто- и наноэлектронике, 4 октября 2013 года СПБ, стр.32.

П.Н.Брунков, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Н.М., Латникова, А.А., Лавров, Б.А., Матвеев, А.С. Петров, М.А. Ременный, Е.Н. Севостьянов, Н.М.Стусь, “Фотодиоды на основе одиночной гетероструктуры p-InAsSbP/nо-InAs/n+-InAs для работы в области температур 77-373 К”, Труды XII-ой научно-технической конференции «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА», 24-25 октября 2013 года, Москва, стр. 152-156.

2014

P.N.Brunkov, N. D. Il’inskaya, S. A. Karandashev, N. M. Latnikova, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, A. S. Petrov, M. A. Remennyi, E. N. Sevostyanov, N. M. Stus’, «P-InAsSbP/no-InAs/n+-InAs photodiodes for operation at moderate cooling (150-220 K)», ФТП, 48(10). Стр. 1394-1397 (2014).

С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, В.И. Ратушный, М.А. Ременный, А.Ю. Рыбальченко, Н.М. Стусь «Вольт-амперные характеристики и сбор фототока в радиально симметричных поверхностно облучаемых фотодиодах на основе InAsSb(P)», Журнал технической физики, 2014, том 84, вып. 11, стр. 52-57. http://link.springer.com/article/10.1134/S1063784214110115

Б.А. Матвеев, «Светодиоды средневолнового ИК-диапазона на основе гетероструктур А3В5 в газоаналитическом приборостроении. Возможности и применения», 2014, Фотоника, №6 (48) страницы: 80-90.

Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, Н. Г. Карпухина, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, «Диодные матрицы формата 3x3 на основе одиночных гетeроструктур р-InAsSbP/n-InAs», Прикладная физика, 2014, № 6, стр. 47-51.

Брунков П.Н., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Латникова Н.М., Лавров А.А., Матвеев Б.А., Петров А.С., Ременный М.А., Севостьянов Е.Н., Стусь Н.М., Усикова А.А., “Фотодиоды на основе одиночных гетероструктур с активными областями из InAs и InAsSb”, труды 23-ей Международной научно-технической,конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 28-30 мая 2014 года, Москва, стр. 250-253.

P.N. Brunkov, N.D. Il’inskaya, S.A. Karandashev, N.M. Latnikova, A.A. Lavrov, B.A. Matveev, A.S. Petrov, M.A. Remennyi, E.N. Sevostyanov, and N.M. Stus’ «P-InAsSbP/no-InAs/n+- InAs photodiodes for operation at moderate cooling (150-220 K)”, abstracts of the 12-th international conference on Infrared Optoelectronics: Materials and Devices (MIOMD-XII: Mid Infrared Optoelectronics Materials and Devices XII 5-9 Oct 2014 Montpellier (France). P.54

С.А. Карандашев, Н.Г.Карпухина, А.А.Лавров, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, «Средневолновые ИК тестовые излучатели 8х8 на основе диодных структур p-InAsSbP/n-InAs», Материалы XIII-ой Всероссийской научно-технической конференции «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». 8 -10 октября 2014 года, г. Дубна. Стр.173

Б.А.Матвеев, «Полупроводниковый фотодиод для инфракрасного излучения», Патент РФ № 2521156 по заявке № 2011140568 с приоритетом от 05.10.2011. Зарегистрирован 29 апреля 2014 года

2015

Матвеев Б., “Сюрпризы средневолновых ИК-светодиодов на основе гетероструктур А3В5”, Фотоника, 2015 (50), Выпуск #2 страницы: 62-69.

Б. Матвеев, “К вопросу о терминологии в средневолновой инфракрасной оптоэлектронике”, Фотоника, Выпуск #3/2015(51) страницы: 152-164

Ильинская Н.Д., Матвеев Б.А., Ременный М.А., «Полупроводниковый диод для средневолнового инфракрасного диапазона спектра» патент РФ № 2 570 603, по заявке № 2011152863 с приоритетом от 23.12.2011. Зарегистрирован 12 ноября 2015 года.

G.Yu.Sotnikova, S.E.Aleksandrov, G.A.Gavrilov, A.A.Kapralov, B.A.Matveev, M.A.Remennyi, M.Saadaoui, D.Zymelka, «Radiometric temperature measurements using In(Ga)As(Sb) backside illuminated photodiodes», Abstract of the 42-th Freiburg Infrared Colloquium, 3-4 March 2015, pp.89-90. (устный доклад Сотниковой)

Александров С.Е., Гаврилов Г.А., Матвеев Б.А., Капралов А.А., Ременный М.А., Сотникова Г.Ю., “Сенсоры на основе неохлаждаемых А3В5 фотодиодов для ИК-термометрии”, Тезисы докладов 5-ой Всероссийской и стран-участниц КООМЕТ конференции по проблемам термометрии, 21-24 апреля 2015, СПб, под. ред. А.И.Походуна, стр.87-89. (устный доклад Сотниковой)

G.Yu.Sotnikova, S.E.Aleksandrov, G.A.Gavrilov, A.A.Kapralov, B.A.Matveev, M.A.Remennyi, M.Saadaoui, D.Zymelka, Сенсоры для измерения радиационной температуры на основе фотодиодов из In(Ga)As(Sb), Тезисы докладов Всероссийского конгресса по сенсорному приборостроению «Сенсорное слияние», СПб, Кронштадт, 28-29 мая 2015г, ISBN 978-5-02-038183-4, стр.33 + текст доклада в сборнике трудов (на диске). (устный доклад Сотниковой)

Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Н.Г.Карпухина, А.А.Лавров, Б.А. Матвеев, А.С.Петров, М.А. Ременный, В.Е.Седов, Н.М. Стусь, А.А. Усикова , «Диодные линейки 1х64 на основе двойных гетeроструктур Р -InAsSbP/n-InAsSb/n+-InAs (λmax= 4 мкм)», Труды ХII-ой научно-технической конференции «Системы наблюдения, мониторинга и Дистанционного Зондирования Земли» (ДДЗ-2015), Cочи, 21-27 сентября 2015 года, стр. 340-345. ISBN 978-5-94627-081-6 (устный доклад Ременного М.А.)

П. Н. Брунков, Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, Н. Г. Карпухина, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, «Фотодиоды на основе ДГС InAs/InAsSb0.1/InAsSbP (λ0.1=5.2 мкм), работающие в температурном диапазоне 50-300 К», Тезисы Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), ФОТОНИКА-2015, Новосибирск, 12-16 октября 2015 года, стр.77. (устный доклад Матвеева Б.А.).

Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, Н. Г. Карпухина, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, “ОДНО- И МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЕ СРЕДНЕВОЛНОВЫЕ ИК ФОТОДИОДЫ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР p-InAsSbP/n-InAs(Sb)”, Труды 2-ой Российско-Белорусской научно-технической конференции «ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ОТЕЧЕСТВЕННОЙ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ: ИМПОРТОЗАМЕЩЕНИЕ И ПРИМЕНЕНИЕ имени О. В. Лосева», Н.Новгород, 17-19 ноября 2015 года, стр. 152-156. ISBN 978-5-9903092-3-8 (устный доклад Матвеева Б.А.).

2016

Матвеев Б.А. “Широкополосные средневолновые инфракрасные фотодиоды на основе твердых растворов А III B V”, [Электронный ресурс]: монография/ Матвеев Б.А., Ратушный В.И., Рыбальченко А.Ю.— Электрон. текстовые данные.— Москва, Саратов: Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Ай Пи Эр Медиа, 2016.— 116 c.

Ильинская Н.Д., Матвеев Б.А, Ременный М.А., Усикова А.А., «Способ изготовления диодов средневолнового ИК-диапазона спектра», Патент № 2599905 по заявке № 2012119514 с приоритетом от 11.05.2012. Зарегистрирован 21 октября 2016 года.

М.А. Ременный, П.Н.Брунков, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Н.Г.Карпухина, А.А.Лавров, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, А.А. Усикова, «Фотоэлектрические свойства средневолновых ИК фотодиодов на основе двойных гетероструктур P-InAsSbP/n-InAs/N-InAsSbP с плавным p-n переходом», труды 24-ой Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-27 мая 2016 года, Москва, стр. 111-116 (устный доклад Ременного М.А.)

М.А. Ременный, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Н.Г.Карпухина, А.А.Лавров, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, А.А. Усикова, «Средневолновые ИК диодные матрицы 8×8 на основе структур Р-InAsSbP/n-InAs», труды 24-ой Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-27 мая 2016 года, Москва, стр. 116-120, ISBN 978-5-7164-0665-0 (устный доклад Ременного М.А.)

Сотникова Г.Ю., Александров С.Е., Гаврилов Г.А., Капралов А.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., «InAs – InAsSb двухспектральные фотодиодные сенсоры для низкотемпературной пирометрии», труды 24-ой Международной научно-технической,конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-27 мая 2016 года, Москва, стр.155-159; (устный доклад Сотниковой Г.Ю.)

Александров С.Е., Гаврилов Г.А., Матвеев Б.А., Капралов А.А., Ременный М.А., Сотникова Г.Ю. , «Быстродействующие средневолновые ИК-сенсоры для экологии, медицины и систем безопасности», Тезисы докладов 1-ой Российской конференции «Физика – наукам о жизни», 12 - 16 сентября 2016, Санкт-Петербург, Россия, стр.41, ISBN 978-5-93634-034-5 (устный доклад Сотниковой Г.Ю.)

B.A. Matveev, P.N. Brunkov, N.D. Il’inskaya, S.A. Karandashev, A.A.Lavrov, , M.A. Remennyi, N.M. Stus’, A.A. Usikova, “8×8 photodiode array based on Р-InAsSbP/n-InAs single heterostructure”, abstracts of the 13th International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices (MIOMD-XIII), Beijing, 18-22 September, 2016, pp. 73-74 (устный доклад Матвеева Б.А.).

B.A.Matveev, S.E.Aleksandrov, G.A.Gavrilov, A.A.Kapralov, M.A.Remennyi and G.Yu.Sotnikova, “Dual band radiometric temperature measurements using InAs and InAsSb based photodiodes” abstracts of the 13th International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices (MIOMD-XIII), Beijing, 18-22 September, 2016, pp. 178-179 (стендовый доклад Матвеева Б.А.).

2017

А.Л.Закгейм, Н.Д.Ильинская, С.А.Карандашев, А.А.Лавров, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Стусь Н.М., А.А.Усикова, А.Е.Черняков, «Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs», Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, вып. 2, 269-275

Zymelka D., Matveev B., Aleksandrov S., Sotnikova G., Gavrilov G., Saadaoui M.,"Time-resolved study of variable frequency microwave processing of silver nanoparticles printed onto plastic substrates" IOP Journal “Flexible and Printed Electronics”, 2 (2017) 045006 (p. 1-10). DOI: 10.1088/2058-8585/aa900a. PUBLISHED 26 October 2017

Б.А. Матвеев, В.И. Ратушный, А.Ю. Рыбальченко, “Широкополосные средневолновые ИК фотодиоды на основе твердых растворов А^IIIВ^V“, Москва: НИЯУ МИФИ, 2017.-116 с.: ил. ISBN 978-5-7262-2211.

Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Г.А.Гаврилов, Г.Ю. Сотникова, «Одиночные и многоэлементные свето- и фотодиоды на основе гетероструктур InAsSbP/InAs(Sb) для среднего ИК-диапазона спектра», сборник научных статей 7-ой Международной научной конференции по военно-техническим проблемам обороны и безопасности, использованию технологий двойного применения, Минск, 20-22 мая 2017 года, Часть 3, стр. 37-43 . ISBN 978-985-581-108-5 (ч.3) (устный доклад Б.А.Матвеева)

М.А.Ременный, Г.А.Гаврилов, Б.А.Матвеев, Г.Ю. Сотникова, “Неохлаждаемые свето- /фотодиодные линейки для спектрометров среднего ИК-диапазона”, Тезисы доклада 2-го Всероссийского Конгресса по сенсорному приборостроению «Сенсорное Слияние», СПБ, Кронштадт, 30-31 мая 2017 года, стр. 22. ISBN 978-5-02-038183-4. (устный доклад Б.А.Матвеева)

Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Лавров А.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Усикова А.А., “Одиночные и матричные фотодиоды на основе гетероструктур InAs1-xSbx/InAsSbP (0≤x ≤0.3) для спектрального диапазона 3-8 мкм”, Сборник тезисов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) ФОТОНИКА 2017, 11-15 сентября 2017 г., Новосибирск, стр.18. ISBN 978-5-4437-0673-3 (устный доклад Б.А.Матвеева)

Б.А.Матвеев, Г.А.Гаврилов, М.А.Ременный, Г.Ю.Сотникова, «Средневолновые ИК свето- и фотодиодные линейки для идентификации летучих компонентов», сборник тезисов 2-ой Всероссийской конференции с международным участием и школой молодых ученых «Физика – наукам о жизни», 18 сентября 2017 – 22 сентября 2017 Россия, Санкт-Петербург. (стендовый доклад Б.А.Матвеева)

Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Лавров А.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Усикова А.А., «Фотодиоды на основе InAs_0.7Sb_0.3, работающие при неглубоком охлаждении», сборник тезисов XIII Российской конференции по физике полупроводников, 2 - 6 октября 2017 года, Екатеринбург, стр. 400 ISBN 978-5-9500855-0-5 (стендовый доклад Ременного М.А)

Левин Р.В., Данилов Л. В., Матвеев Б.А., Берт Н.А., Зегря Г.Г., Пушный Б.В., “Особенности выращивания квантоворазмерных гетероструктур InAs/GaSb методом МОСГФЭ” , сборник тезисов XIII Российской конференции по физике полупроводников, 2 - 6 октября 2017 года, Екатеринбург стр. 136 ISBN 978-5-9500855-0-5 (стендовый доклад Левина Р.В.)

Матвеев Б.А., Ратушный В.И., Рыбальченко А.Ю. «ТЕРМОФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ НА ОСНОВЕ ИЗОПЕРИОДНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР InAsSbP/InAs», ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ седьмой международной конференции, посвященной памяти профессора С.С. Горелика, МОСКВА, 2-5 октября 2017 г., стр.133. ISBN 978-5-906953-26-1 (стендовый доклад Рыбальченко А.Ю.).