Светодиоды для средней инфракрасной области спектра (2-6 мкм)

  • Светодиоды на основе гетероструктур из твердых растворов InAs;
  • Флип-чип дизайн;
  • Использование n+-InAs подложек с низким последовательным сопротивлением;
  • Оптическое сопряжение чипа с иммерсионной линзой из Si или Ge с помощью халькогенидного стекла с высоким показателем преломления;
  • Просветляющее покрытие иммерсионной линзы (для линз из Si или Ge)
  • Широкий диапазон рабочих температур (-60 оС - +85 оС – для иммерсионных светодиодов; 4 К - +180 оС – для светодиодов без иммерсии);
  • Минимальное энергопотребление;
  • Модуляция от десятков МГц до непрерывного режима;
  • Отсутствие достоверной деградации;
  • 3-х- кратное увеличение выходной мощности по сравнению со светодиодами без иммерсии;
  • Концентрация излучения в телесном угле ~15 град;
  • Источники отрицательной люминесценции.

Иммерсионные светодиоды серии Sr/Su

Флип-чип светодиоды без иммерсии и с микроиммерсионной линзой

9-и элементные матрицы СД

 

Иммерсионные светодиоды серии Sr/Su/Cy, KM

Конструкция: Флип-чип с выводом излучения через n+-InAs подложку; Глубокая меза с наклонными стенками, выполняющими фунцию рефлекторов; Оптическое сопряжение чипа с иммерсионной линзой; Просветляющее покрытие Si иммерсионной линзы. Смонтированы в винтовом (Sr), цилиндрическом (Su) корпусах или на ТО8 с термоэлектрическим охладителем.

Преимущества: Увеличение выходной мощности до 3 раз, сужение расходимости пучка до 15о

Длина волны в максимуме чувствительности Мощность в непрерывном режиме (I=0.2 A) Мощность в квазинепрерывном режиме Мощность в импульсном режиме (I=1A) Напряжение Расходимость Спецификация
λ макс, мкм PCW, мВт PqCW, мВт PPULSED, мВт U, В F, град. pdf
1.9 ≥0.6 ≥2 ≥6 0.5÷1.2 ~15 LED19Su/Sr
2.1 ≥1.2 ≥3 ≥10 0.5÷1.2 ~15 LED21Su/Sr
2.8 ≥0.03 ≥0.05 ≥0.15 0.3÷0.5 ~15 LED28
3.0 ≥0.03 ≥0.05 ≥0.15 0.3÷0.5 ~15 LED30
3.4 ≥0.15 ≥0.23 ≥0.4 0.3÷0.5 ~15 LED34
3.6 ≥0.11 ≥0.15 ≥0.3 0.3÷0.5 ~15 LED36
3.8 ≥0.08 ≥0.12 ≥0.25 0.3÷0.5 ~15 LED38
4.2 ≥0.025 ≥0.035 ≥0.06 0.3÷0.5 ~15 LED42
4.7 ≥0.005 ≥0.008 ≥0.02 0.3÷0.5 ~15 LED47
5.0 ≥0.005 ≥0.008 ≥0.02 0.3÷0.5 ~15
5.5 ≥0.0025 ≥0.004 ≥0.01 0.3÷0.5 ~15 LED55
7.0 ≥0.001 ≥0.0016 ≥0.01 1.3÷2.1 ~15 LED70

Флип-чип светодиоды (без иммерсии и с микроиммерсионной линзой)

Конструкция: Чип с глубокой мезой и выводом излучения через n+-InAs подложку; Глубокая меза с наклонными стенками, выполняющими функцию микрорефлекторов; Дополнительный внешний рефлектор (опция для СД без иммерсии); Оптическое сопряжение с помощью иммерсионной линзы из халькогенидного стекла диаметром 1 мм. Смонтированы на корпусах ТО18, ТО46, ТО39, или ТО46, ТО39 с термоэлектрическим охладителем.

Преимущества: СД без иммерсии: «Точечный» источник излучения, возможность работы при криогенных температурах (до 4 К). СД с микроиммерсионной линзой: Увеличение мощности излучения и сужение диаграммы направленности, меньшие размеры по сравнению с иммерсионными СД с Si или Ge линзами (серии Sr/Su/Cy)

λ макс, мкм PCW, мВт PqCW, мВт PPULSED, мВт U, В F, град. pdf
2.9 ≥0.01 ≥0.014 ≥0.035 0.3÷0.5 ~140 LED29BS
3.0 0.3÷0.5 ~140
3.4 ≥0.05 ≥0.08 ≥0.13 0.3÷0.5 ~140 LED34BS
3.8 ≥0.025 ≥0.04 ≥0.08 0.3÷0.5 ~140 LED38BS
4.2 ≥0.008 ≥0.01 ≥0.02 0.3÷0.5 ~140 LED42BS
4.7 ≥0.004 ≥0.005 ≥0.01
 0.3÷0.5 ~140 LED47BS

4-х, 9-и, 16-и элементные матрицы и линейки СД

Конструкция: Монолитная (2×2, 3×3, 4×4) с точечным контактом на излучающей поверхности, размер одиночного элемента 500×500 мкм, размер излучающей области одиночного элемента 350×350 мкм, индивидуальная адресация. Чип с глубокой мезой и выводом излучения через n+-InAs подложку, аналогичен, используемому в одиночных СД без иммерсии и с микроиммерсионной линзой. Могут быть изготовлены для длин волн 2.9, 3.4, 3.8, 4.2, 4.7 мкм