Проекты
“Разработка фоточувствительных элементов большой размерности для спектральных областей 2.5-3.5; 2.5-4.5; 2.5-5.5 мкм на основе диодных гетероструктур из InAs и твердых растворов InAsSbP”. “ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы»”
Целью проекта является: Разработка комплекса научно-технических решений направленных на создание нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств - полупроводниковых диодных фотоприемников большой размерности, работающих в спектральной области 3-5 мкм (в том числе, двухспектральных) в широком интервале температур.
Целями проекта являются: 1.1. Разработка полупроводниковых фоточувствительных материалов и лабораторной технологии их получения для матричных инфракрасных фотоприемников и тепловизоров гражданского назначения с повышенной рабочей температурой не менее чем в 1,3 раза и/или сниженным энергопотреблением не менее чем в 2 раза и/или уменьшенными габаритами и весом не менее чем в 2 раза; 1.2. Разработка полупроводниковых материалов, фоточувствительных в спектральных областях 2.5-3.5; 2.5-4.5; 2.5-5.5 мкм на основе диодных гетероструктур из твердых растворов арсенида индия и лабораторной технологии их получения; 1.3 Разработка одноэлементных и многоэлементных приемников фоточувствительных в спектральных областях 2.5-3.5; 2.5-4.5; 2.5-5.5 мкм на основе диодных гетероструктур из твердых растворов арсенида индия, работающих в интервале температур 150-350 К, обладающих параметрами чувствительности, многократно превышающими существующий мировой уровень, и лабораторной технологии их получения. "
“ Разработка инфракрасных датчиков (3-5 мкм) на основе свето- и фотодиодов для газового анализа и низкотемпературной пирометрии”. “ЭКСПОРТ-2013”
Целями проекта являются "Разработка инфракрасных датчиков (3-5 мкм) на основе свето- и фотодиодов c возможностью самокалибровки и ультранизким энергопотреблением для газового анализа и низкотемпературной пирометрии"
“Создание миниатюрного газового сенсора”. 7-ая рамочная программа ЕС
ссылка
“Создание иммерсионных "флип-чип" фотодиодов для средней ИК области спектра (3-5 мкм)”. “СТАРТ 06”
“Разработка технологии и создание многоэлементных излучателей повышенной яркости, работающих в средней ИК области спектра”. SBIR 2005 г.;
“Разработка пленочных структур для люминесцентных диодов среднего инфракрасного диапазона
(3-5 мкм)”. “СТАРТ 05”