Александров С.Е., Гаврилов Г.А., Капралов А.А., Матвеев Б.А., Сотникова Г.Ю., Ременный М.А. «Моделирование характеристик оптических газовых сенсоров на основе диодных оптопар среднего ИК-диапазона спектра», Журнал технической физики, 2009, том 79, вып. 6, 112-118

А.Л.Закгейм, Н.В.Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А.Усикова А.Е. Черняков, “Светоизлучающая диодная линейка (l=3.7 мкм ) на основе InGaAsSb”, ФТП, 43, № 4, 531-536 (2009).

Закгейм А.Л., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Черняков А.Е., Шленский А.А. “Распределение излучения в светодиодах на основе GaInAsSb/GaSb”, ФТП, том 43, выпуск 5, 689-694 (2009) ,

А.Л.Закгейм, Н.В.Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.Е. Черняков, «Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (lcut off =4.5 мкм)», ФТП, 43, №3, 412-417 (2009).

Задиранов Ю.М., Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Усикова А.А., «Светодиоды (l=3.6 um) с оптическим возбуждением на основе фотонных кристаллов в арсениде индия», ПЖТФ, 2008, том 34, выпуск 10, стр. 1-7.

А.Л.Закгейм, Н.В.Зотова, Н.Д.Ильинская, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Н.М.Стусь, А.А.Усикова, А.Е.Черняков, «ИК изображения флип-чип диодов на основе InAsSbP в спектральной области 3 мкм», Прикладная Физика, 2008,  N6, 143-148.

С.А. Карандашев, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Н.М. Стусь, Л.С. Лунин; В.И.Ратушный; А.В. Корюк, В.В. Кузнецов "Флип-чип фотодиоды на основе InAs, работающие при 20-100  С в интервале длин волн 2.7-3.7 мкм." Известия ВУЗов, Материалы электронной техники, №3, 36-38, 2007

Н.В. Зотова, Н.Д.Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М.Стусь, «Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия (обзор)», ФТП, 42, №6, 641-657,  (2008).

Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Шленский А.А., Лунин Л.С., Ратушный В.И., Корюк А.В., Тараканова Н.Г «Свойства «иммерсионных» фотодиодов (l =1.8-2.3 мкм) на основе GaInAsSb/GaSb в интервале температур 20-140  C» ФТП, 2007, том 41, выпуск 11,  1389-1394

В.И.Иванов-Омский, Б.А.Матвеев, «Отрицательная люминесценция и приборы на ее основе (обзор)», ФТП, 2007, том 41, выпуск 3, 257-268

Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Шустов В.В., Тараканова Н.Г. «Флип-чип светодиоды на основе InAs с буферными слоями из InGaAsSb», ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, 1004-1008

Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М. «Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления»,  ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, 717-723

Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Шленский А.А. «Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие на длине волны 1.94 мкм», ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, 356-361

Н.В.Зотова, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Н.М.Стусь, Н.Г.Тараканова, «Люминесценция l=6-9 мкм многослойных структур на основе InAsSb» , ФТП, 2005, том 39, выпуск 2 стр. 230-233

А.А. Кузнецов, О.Б. Балашов, Е.В. Васильев, С.А. Логинов, А.И. Луговской, Е.Я. Черняк, «Дистанционный инфракрасный  детектор углеводородных газов», Приборы и системы. Управление контроль, диагностика. 2003. № 6, стр. 55-59

А.В.Сукач, В.В.Тетеркин, Н.В.Зотова, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин “Неохлаждаемые фотодиоды p+-InAsSbP/n-InAs  для использования в оптоэлектронных сенсорах метана”, Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2002, вып.37, стр. 215-219

М.Айдаралиев, Н.В.Зотова, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин , <<Иммерсионные>> инфракрасные светодиоды с оптическим возбуждением на основе узкозонных полупроводников A^IIIB^V, ФТП, 2002, том 36, выпуск 7 , 881-884

М.Айдаралиев, Н.В.Зотова, С.А.Карандашев, Б.А.Матвеев, М.А.Ременный, Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин “Мощные лазеры (l=3.3 мкм) на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd) / InAsSbP”, ФТП, 2001, том 35, выпуск 10 , стр.1261-1265

М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М.Стусь, Г.Н.Талалакин, T. Beyer*. Лазеры 3.0-3.3 мкм на основе ДГС InGaAsSb(Gd)/InAsSbP для диодно-лазерной спектроскопии. ФТП, т.34, №7 (2000), стр. 124-128.